型号：D20VT60
　　制造商：Toshiba（东芝）
　　晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：600V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：600V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：7V
　　最大集电极电流（IC）：20A（连续）
　　最大脉冲集电极电流（ICM）：40A
　　最大总功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　直流电流增益（hFE）：最小值8（在IC=10A, VCE=4V条件下）
　　饱和压降（VCE(sat)）：典型值1.5V（在IC=10A, IB=1A条件下）
　　过渡频率（fT）：典型值3MHz
　　封装形式：TO-247

D20VT60具备出色的高电压阻断能力，其集电极-发射极额定电压高达600V，能够在高压开关电路中可靠地关断电流，防止因过压击穿导致的器件损坏。这一特性使其非常适合用于AC-DC转换器、DC-DC变换器以及逆变器等需要承受高压反向偏置的应用场景。该器件在高电流条件下仍能保持稳定的电流放大能力，其直流电流增益虽然在大电流下相对较低（典型hFE为8~16），但在功率开关模式下主要工作于饱和与截止区，因此增益并非决定性因素。更重要的是其低饱和压降特性，在IC=10A、IB=1A的测试条件下，VCE(sat)典型值仅为1.5V，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的能效，并减少了散热设计的复杂度。
　　D20VT60采用TO-247封装，具有较大的金属背板，便于安装散热器，有效提升热传导效率。该封装具备较低的热阻（典型RθJC为0.625°C/W），确保在200W的最大功耗下结温不会迅速上升至危险水平。此外，器件经过优化设计，具有良好的二次击穿耐受能力，避免在开关过程中因局部热点引发热失控。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于恶劣环境下的工业设备。制造工艺上采用先进的扩散技术和金线键合，保证了器件的长期可靠性和抗热循环能力。D20VT60还具备一定的抗浪涌电流能力，可在短时间内承受高达40A的脉冲电流，适用于启动电流较大的负载驱动场合，如电机或变压器初级侧控制。这些综合特性使D20VT60成为中高功率模拟与数字电源系统中的理想选择。

D20VT60广泛应用于各类高功率电子系统中，尤其是在需要高效、高可靠性晶体管的工业与电力电子领域。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在大功率AC-DC整流后级的DC-DC转换拓扑中，作为主开关管或有源钳位元件使用。在逆变器系统中，例如太阳能逆变器或不间断电源（UPS），D20VT60可用于半桥或全桥拓扑结构中，承担能量转换与输出波形生成的任务。由于其高耐压和大电流能力，该器件也常用于电机驱动电路，尤其是交流感应电机或直流电机的速度与方向控制模块中，作为功率输出级的核心元件。
　　此外，D20VT60在电焊机、高频感应加热设备以及X射线发生器等特种电源设备中也有广泛应用。在这些设备中，晶体管需频繁承受高电压尖峰和大电流冲击，D20VT60凭借其优异的二次击穿防护能力和热稳定性，表现出较强的鲁棒性。它还可用于高电压脉冲发生器、激光驱动器以及大型电磁阀控制系统中，作为高速开关元件。在音频功率放大器领域，尽管现代设计更多采用MOSFET或IGBT，但在一些老式或特定高保真音响系统中，D20VT60仍可作为末级输出管使用，提供强劲的动态响应能力。总体而言，凡是涉及600V级别电压切换且需承载10A以上电流的应用，D20VT60都是一种成熟且值得信赖的选择。

BUV47A
　　MJ15003
　　TIP142G
　　2SC5386