时间：2025/5/13 10:56:44
阅读：28
BU34DV7NUX-GE2 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 N 沣道沟道 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计场景。
该 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和其他需要高效功率控制的应用中。
型号：BU34DV7NUX-GE2
类型：N 楔道 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：6.5mΩ
Id（持续漏极电流）：18A
栅极电荷：19nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：HSOP-J8（Exposed Pad）
BU34DV7NUX-GE2 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，能够满足高频开关应用的需求。
3. 高雪崩击穿能力和强健的短路耐受能力，提升了器件的可靠性。
4. 小型化封装设计，节省了 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
这些特点使得 BU34DV7NUX-GE2 成为众多功率转换和电源管理电路中的理想选择。
BU34DV7NUX-GE2 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关。
3. 工业设备中的电机驱动和控制。
4. LED 驱动器和照明系统。
5. 各种消费类电子产品的电池管理系统 (BMS)。
由于其高效的功率处理能力和紧凑的设计，BU34DV7NUX-GE2 在便携式设备和空间受限的系统中尤为适用。
BU34DV7NUX-ME2
