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CBR08C829B1GAC 发布时间 时间:2025/5/15 12:46:33 查看 阅读:9

CBR08C829B1GAC 是一款肖特基二极管阵列(Schottky Diode Array),属于高效整流器和保护二极管系列。该器件采用超薄芯片级封装(WCSP),具有低正向电压降、快速开关速度以及高浪涌能力的特点,非常适合用于便携式电子设备中的电源管理和电路保护应用。
  肖特基二极管因其低功耗和高效率的特性,在消费类电子产品中广泛应用,例如手机、平板电脑、笔记本电脑和其他需要高性能功率管理的设备。

参数

最大正向电流:3A
  峰值反向电压:40V
  正向压降(典型值):0.25V
  反向恢复时间:小于4ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:WCSP(晶圆级芯片尺寸封装)

特性

CBR08C829B1GAC 具有以下显著特点:
  1. 低正向电压降(VF),减少了功率损耗并提高了系统效率。
  2. 极快的反向恢复时间(trr),使其适合高频开关应用。
  3. 高浪涌电流能力,增强了器件的可靠性和耐用性。
  4. 超小型 WCSP 封装,节省了 PCB 空间,非常适合紧凑型设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业规范要求。
  这些特性使得 CBR08C829B1GAC 在高速开关电路、ESD 保护以及电源管理领域表现优异。

应用

CBR08C829B1GAC 主要应用于以下场景:
  1. 电源管理模块中的整流和逆变功能。
  2. USB 接口的过压保护和 ESD 防护。
  3. 手机和平板电脑等便携式设备中的电池充电保护电路。
  4. 高速数据线接口的瞬态电压抑制。
  5. 各种消费类电子产品的输入/输出端口保护。
  由于其出色的性能,这款肖特基二极管阵列在众多需要高效功率转换和信号保护的应用中占据重要地位。

替代型号

CBR08C828B1GAC, CBR08C830B1GAC

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CBR08C829B1GAC参数

  • 数据列表CBR08C829B1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容8.2pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-