时间：2025/9/14 16:04:30
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BUK7Y28-75B,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款功率 MOSFET 晶体管，属于高性能、高可靠性的逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高电流、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及工业自动化系统等领域。该 MOSFET 采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能，适合在高效率和紧凑型设计中使用。其封装形式为 TO-220AB，便于散热并适用于通孔安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：85nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7Y28-75B,115 具备多项优异的电气和热性能，适合高性能功率应用。其主要特性包括：
1. **低导通电阻（RDS(on)）**：典型值为 5.7mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
2. **高电流承载能力**：连续漏极电流可达 75A，能够满足高功率负载的需求，如电机驱动和 DC-DC 转换器。
3. **快速开关性能**：由于较低的栅极电荷（Qg=85nC）和输出电容，使得该器件在高频开关应用中表现出色，适用于高效率的开关电源设计。
4. **逻辑电平兼容**：可由常见的 3.3V 或 5V 栅极驱动器直接控制，简化了驱动电路设计，降低了系统复杂度。
5. **优异的热稳定性**：采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
6. **宽工作温度范围**：支持 -55°C 至 +175°C 的工作环境，适用于工业级和汽车电子应用。
7. **过载和短路耐受能力**：具备一定的抗过载和短路保护能力，增强了系统的可靠性和耐用性。
BUK7Y28-75B,115 广泛用于多种高功率和高频开关应用场景，包括：
1. **电源管理系统**：如同步整流、负载开关和电源分配模块，用于服务器、通信设备和工业控制系统。
2. **DC-DC 转换器**：适用于升压（Boost）、降压（Buck）和反相（Inverting）拓扑结构，实现高效的电压转换。
3. **电机驱动和执行器控制**：在机器人、工业自动化设备和电动工具中作为功率开关使用。
4. **电池管理系统（BMS）**：用于电动车辆、储能系统和便携式设备中的充放电控制。
5. **LED 照明系统**：作为调光和功率调节的开关元件，实现高效节能的照明方案。
6. **汽车电子**：包括车载充电器、车身控制模块和辅助电机控制等应用。
7. **工业自动化与控制系统**：用于可编程逻辑控制器（PLC）、继电器替代和高功率传感器接口。
SiSS78N03LGE-T1-GE3, IRLR2905PBF, IRF1405PBF, FDP7760, STB75NF75
