时间：2025/4/28 10:22:41
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BTS500851TMA是一款基于先进的SMART MOS技术的N沟道功率MOSFET，采用PG-TSSOP-14封装形式。该器件集成了一个续流二极管（肖特基二极管），特别适用于汽车电子和工业应用中的大电流开关场景。它具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能，能够承受严苛的工作环境。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：26A
导通电阻：2.3mΩ
栅极阈值电压：2.7V
总功耗：13W
工作温度范围：-40℃至150℃
封装形式：PG-TSSOP-14
BTS500851TMA具备低导通电阻特性，可以显著降低传导损耗并提高系统的整体效率。其集成的肖特基二极管有助于简化电路设计，并提供高效的续流路径。此外，该器件还具有较高的雪崩能力和抗静电能力，能够在负载突降或短路情况下提供额外的保护。
这款芯片采用了优化的散热设计，确保在高温环境下也能保持稳定运行。同时，其紧凑的封装形式非常适合空间受限的应用场景。
BTS500851TMA广泛应用于汽车和工业领域，例如直流电机控制、LED驱动器、DC/DC转换器、负载开关以及各种需要高效开关操作的场合。由于其卓越的热性能和电气特性，该器件特别适合要求高可靠性和高效率的应用环境。
BTS500801TMA, BTS500951TMA
