IXFX48N50Q 时间：2025/8/6 12:19:20 阅读：26

IXFX48N50Q是一款由IXYS公司（现隶属于Littelfuse）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高性能的电力电子设备中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于诸如电源转换器、逆变器以及电机控制等应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：48A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.145Ω（典型值为0.125Ω）
　　栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
　　封装形式：TO-247AC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功耗（Pd）：300W

特性

IXFX48N50Q的主要特性包括低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率；高耐压能力（500V），使其能够在高电压环境下稳定工作；大电流容量（48A），能够承受较大的负载电流。此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，具备优异的热性能和耐用性。其TO-247AC封装形式便于安装在散热器上，提高散热效率，适用于高功率密度的设计。
　　该器件还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的设计更加简单，降低了驱动损耗。IXFX48N50Q的高可靠性和稳定性，使其成为工业电源、电机驱动和新能源系统等领域的理想选择。

应用

IXFX48N50Q广泛应用于多种高功率电子系统中，如直流-直流转换器（DC-DC Converter）、直流-交流逆变器（DC-AC Inverter）、不间断电源（UPS）、电机控制和工业自动化设备等。此外，该MOSFET也常用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备中。其高耐压和大电流能力，使其在高频开关电源设计中具有明显优势，有助于提高系统的整体效率和可靠性。
　　由于其优异的热管理和低导通损耗特性，IXFX48N50Q也适用于紧凑型电源设计，如高效能服务器电源、工业电源模块以及LED照明驱动电源等。对于需要高效、高可靠性和高功率密度的应用场景，该MOSFET是一个非常理想的选择。