电容值：4.7μF
　　额定电压：10V
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　容差：±20%
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度系数：±15% 容量变化（-55°C 至 +85°C）
　　最大纹波电流：根据频率和温度变化
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　绝缘电阻：≥10000MΩ
　　

THCS40E1E475MTF电容器采用X5R介质材料，具有良好的温度稳定性和较低的容量随温度变化率。其高电容值使其适用于去耦和滤波应用，尤其是在电源管理电路中。该电容器的低ESR（等效串联电阻）特性有助于减少电路中的能量损耗和发热，从而提高整体系统的效率和可靠性。
　　此外，该电容器采用了SMD封装技术，便于自动化生产并节省PCB空间。它还具有较高的抗震性能和优异的焊接性能，确保在各种环境下的稳定运行。由于其优异的电气性能和机械特性，THCS40E1E475MTF被广泛用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子系统中。
　　在高频应用中，该电容器表现出良好的滤波性能，能够有效降低高频噪声，提高信号完整性。其稳定的电气性能和较长的使用寿命使其成为许多高性能电子设备的首选电容器。

THCS40E1E475MTF主要用于电源去耦、直流-直流转换器、电压调节器、滤波电路以及储能电路。它广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、服务器主板、路由器、交换机、工业自动化设备、LED照明系统以及车载电子设备等领域。在需要高稳定性和低ESR的电路中，这款电容器是理想的选择。

C3225X5R1E475KT000N, GRM32ER61C475KF-C3, CL32B475KCJHNPQ