时间：2025/5/10 17:59:16
阅读：9
BSZ084N08NS5ATMA1 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式为SOT-223，有助于散热性能的提升。这种MOSFET通常用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：80V
最大连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：8.4mΩ
栅极电荷：37nC
总功耗：38W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
BSZ084N08NS5ATMA1 具有低导通电阻的特点，这可以有效降低功率损耗，提高效率。同时，其高电流处理能力和坚固的结构设计使其非常适合于需要高效能和高可靠性的应用。
此外，该器件具备快速开关能力，能够减少开关损耗，从而优化系统性能。它还具有良好的热稳定性和抗浪涌能力，确保在极端条件下的正常运行。
该MOSFET广泛应用于各类工业和消费电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统（BMS）
5. 逆变器和不间断电源（UPS）
6. 各类负载开关应用
STP08NM50,
IRF840,
BUZ11
