时间：2025/8/20 15:40:49
阅读：18
D56V62160E-10 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于各种高功率密度和高性能要求的电力电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：560V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A（@25°C）
功耗（Pd）：200W
导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω（@10V Vgs）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
D56V62160E-10 的核心优势在于其出色的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统效率。同时，该器件的开关速度快，适用于高频开关环境，减少了开关损耗。
此外，D56V62160E-10 采用了高耐用性的封装设计，能够承受较高的热应力和机械应力，确保在恶劣工作环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。
D56V62160E-10 广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及UPS不间断电源系统等。其高耐压能力和高效能特性，使其成为工业电源、通信设备和新能源系统中的关键组件。此外，该MOSFET也适用于高频谐振变换器和功率因数校正（PFC）电路，能够有效提升整体系统效率和稳定性。
TK15A50D, IRF840, STF8NM50N
