FGW75N60HD 时间：2025/8/9 20:07:37 阅读：17

FGW75N60HD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高功率和高效率的电力电子设备中。这款MOSFET采用先进的技术，以确保在高电压和高电流条件下的稳定性和可靠性。其设计使得在电源转换和电机控制等应用中表现出色。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.095Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

FGW75N60HD具有极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于各种高电压应用，如电源供应器和逆变器。
　　该MOSFET的封装形式为TO-247，这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合高功率密度设计。此外，其宽温度范围（-55°C至150°C）确保在极端环境条件下仍能可靠运行。
　　器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压而不损坏。这对于保护电路免受电压尖峰影响非常重要。FGW75N60HD的栅极驱动设计优化，能够减少开关损耗，并提高动态性能。

应用

FGW75N60HD主要用于需要高功率和高效率的应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器。此外，它也适用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及各种需要高电压和高电流控制的电子系统。
　　在电源设计中，FGW75N60HD能够提供高效能的功率转换，同时保持较低的导通和开关损耗。在电机控制应用中，它能够提供稳定的电流控制，从而实现更精确的转速和扭矩调节。