型号：QM50DY-2HB
　　制造商：Toshiba
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DSS）：650V
　　最大栅源电压（V_GSS）：±30V
　　连续漏极电流（I_D @ 25°C）：50A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：200A
　　功耗（P_D）：300W
　　导通电阻R_DS(on) @ V_GS = 10V：0.085Ω（典型值）
　　导通电阻R_DS(on) @ V_GS = 10V：0.11Ω（最大值）
　　阈值电压（V_th）：3.0V ~ 5.0V
　　输入电容（C_iss）：5900pF @ V_DS=25V
　　输出电容（C_oss）：440pF @ V_DS=25V
　　反向恢复时间（t_rr）：55ns
　　工作结温范围（T_j）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

QM50DY-2HB具备出色的电气性能和热管理能力，是高性能功率开关的理想选择之一。其核心优势在于低导通电阻R_DS(on)，在V_GS=10V时典型值仅为0.085Ω，最大不超过0.11Ω，这意味着在大电流工作状态下能够显著降低导通损耗，提升系统整体效率。这一特性尤其适用于高负载条件下的电源转换应用，如服务器电源、电信设备电源模块以及太阳能逆变器等。低R_DS(on)不仅减少了发热，还能减小散热器尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　该器件采用东芝专有的沟槽结构工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。这种结构设计还增强了器件的雪崩耐受能力，提高了在瞬态过压情况下的可靠性。此外，QM50DY-2HB拥有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为75nC，这使得驱动电路所需能量更少，有利于高频操作下的效率优化，并降低驱动IC的负担。同时，其输入电容（C_iss）和输出电容（C_oss）经过精心设计，在高频开关应用中表现出良好的动态响应特性。
　　在热性能方面，TO-247封装提供了较大的金属背板接触面积，便于安装散热片或直接连接到散热系统，有效传导内部产生的热量，确保长时间运行下的温度可控性。该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的运行需求，例如工业自动化设备或户外电力装置。其快速的开关速度（体现在较短的开启和关闭时间）进一步降低了开关损耗，尤其是在硬开关拓扑中表现突出。
　　安全性方面，QM50DY-2HB具备较强的抗雪崩能力和稳健的栅氧层设计，防止因电压突波导致的永久性损坏。此外，其最大栅源电压可达±30V，提供了一定程度的过压保护能力，增强了系统鲁棒性。总体而言，QM50DY-2HB结合了低损耗、高电流、高耐压和良好热性能等多项优点，是一款适用于中高端功率应用的成熟且可靠的MOSFET产品。

QM50DY-2HB主要应用于需要高效能、高电压和大电流处理能力的电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器、通信基站和工业电源中的有源钳位反激、LLC谐振转换器和正激变换器拓扑结构。其高耐压（650V）特性使其非常适合连接整流后的市电输入（约380V直流母线），可在PFC（功率因数校正）升压电路中作为主开关器件使用，帮助实现高能效和低谐波失真。
　　在DC-DC转换器中，QM50DY-2HB可用于隔离型和非隔离型拓扑，如半桥、全桥和推挽结构，特别适合于48V转12V或更高功率等级的车载电源系统。此外，它也被广泛应用于UPS（不间断电源）和逆变器系统中，作为直流到交流转换的核心开关元件，承担高频率、高电压切换任务。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC逆变级或MPPT（最大功率点跟踪）电路，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高能源转换效率。
　　电机驱动领域也是QM50DY-2HB的重要应用方向，特别是在中等功率工业电机控制器中，可用于构建H桥或三相逆变桥，实现精确的速度和扭矩控制。此外，该器件还可用于感应加热、电焊机和其他高功率脉冲电源系统中，凭借其强大的电流承载能力和热稳定性，确保长期可靠运行。总之，QM50DY-2HB凭借其综合性能优势，已成为多种中高功率电源和电力控制系统中的关键组件。

TK50A65W5, FQA50N65, STWA50N65, IPB50N65S