MA0201CG6R2D250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效提升系统的效率和性能。
这款器件通常以裸芯片的形式提供,适合需要集成到更大规模模块或系统中的应用。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多功率转换应用的理想选择。
型号:MA0201CG6R2D250
类型:功率 MOSFET
封装形式:裸芯片
导通电阻:6.2 mΩ(典型值,Vgs=10V)
额定漏极电流:250 A(连续模式)
额定漏源电压:650 V
栅极电荷:125 nC(典型值)
开关频率:支持高达 100 kHz 的工作频率
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
功耗:根据实际电路设计而定
MA0201CG6R2D250 具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高整体效率。
2. 高额定漏极电流和漏源电压,可满足高功率密度的应用需求。
3. 快速的开关特性,使得器件能够在高频条件下高效运行。
4. 裸芯片封装形式减小了寄生电感,优化了动态性能。
5. 出色的热稳定性,适用于极端环境条件下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,用于主功率级开关。
2. DC-DC 转换器,特别是在高效率、高功率密度的场合。
3. 工业电机驱动系统,作为功率级的核心元件。
4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的动力总成控制单元。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
MA0201CG6R2D200, MA0201CG6R2D300