时间：2025/8/6 12:52:01
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IXFH12N90 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压、高功率应用，如电源转换、工业电机控制和电源管理电路。这款晶体管采用了先进的技术，能够在高电压条件下提供优异的导通和开关性能。IXFH12N90 具有较高的电流承载能力，适用于需要高效能、高可靠性的电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：12A
漏极-源极击穿电压 (Vds)：900V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.45Ω
最大工作温度：150°C
封装形式：TO-247
IXFH12N90 的主要特性包括高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性。该器件在 900V 的漏极-源极电压下能够稳定工作，适用于高电压直流和交流应用。其低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下的功率损耗较低，提高了整体效率。此外，IXFH12N90 具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统的响应能力。该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于长时间运行的工业设备。由于其高栅极电荷（Qg）特性，IXFH12N90 在高频应用中需要适当的栅极驱动设计以确保稳定运行。
IXFH12N90 通常用于高压电源转换器、开关电源（SMPS）、工业自动化控制、电机驱动器和电力电子设备中。由于其高电压耐受能力和较高的电流承载能力，该器件在高压直流-直流转换器、逆变器和不间断电源（UPS）系统中得到了广泛应用。此外，IXFH12N90 也适用于需要高功率密度和高效率的现代电力电子系统。
STF12N90M, FCP12N90
