时间:2025/12/27 22:08:55
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BSV16/10是一种高压硅堆(Silicon Stack Diode),通常用于高电压、低电流的整流应用。该器件由多个串联的二极管芯片组成,封装在一个紧凑的绝缘外壳中,能够承受较高的反向电压并提供稳定的正向导通性能。BSV16/10广泛应用于需要将交流电转换为直流电的高压电源系统中,例如X射线发生器、激光电源、静电除尘设备、复印机高压电源模块以及工业测量仪器等。其设计目标是在恶劣工作环境下保持长期稳定性和可靠性。
该型号中的“BSV”通常代表其系列或制造商特定命名,“16”可能表示其最大重复峰值反向电压(VRRM)约为16kV,而“10”可能表示其额定平均整流电流为10mA。BSV16/10采用轴向引线封装,外层常使用环氧树脂或其他高绝缘强度材料进行封装,以确保在高电压下不发生表面闪络或击穿。此外,该器件具备良好的热稳定性和抗湿性,适合在较宽温度范围内运行。由于其特殊的结构和电气特性,BSV16/10常被用作替代单个高压二极管的集成解决方案,简化电路设计并提高装配效率。
类型:高压硅堆
最大重复峰值反向电压(VRRM):16000V
最大平均整流电流(IO):10mA
峰值非重复浪涌电流(IFSM):100A
反向漏电流(IR):≤5μA
正向压降(VF):≤1.5V
工作结温范围(TJ):-40℃ ~ +150℃
存储温度范围:-40℃ ~ +150℃
封装形式:轴向引线封装(Axial Lead)
绝缘材料:环氧树脂
耐压测试电压:20kV AC(典型)
BSV16/10高压硅堆的核心特性之一是其卓越的高电压耐受能力,能够在高达16kV的反向电压下稳定工作而不发生击穿。这种性能得益于内部多个二极管芯片的精确串联配置,每个芯片都经过严格筛选和匹配,以确保电压均匀分布,避免局部过压导致早期失效。同时,该器件采用了先进的钝化技术和高纯度半导体材料,显著降低了反向漏电流,在高温条件下仍能保持低于5μA的漏电水平,从而提升了系统的整体安全性和稳定性。这一特性使其特别适用于对漏电流敏感的应用场景,如医疗成像设备中的高压电源部分。
另一个关键特性是其优异的热管理和机械结构设计。BSV16/10采用耐高温环氧树脂全密封封装,不仅提供了出色的电气绝缘性能,还能有效防止潮气、灰尘和其他污染物侵入,增强了器件在恶劣环境下的可靠性。其轴向引线结构便于安装于散热片或支架上,有助于热量的传导与散发,延长使用寿命。此外,该器件具有较强的抗机械冲击和振动能力,适用于移动式或工业现场使用的高压设备。
从电气响应特性来看,BSV16/10具备较低的正向导通压降(典型值≤1.5V),这有助于减少功率损耗,提升整流效率,尤其在连续工作模式下表现突出。尽管其平均整流电流仅为10mA,但可承受高达100A的非重复浪涌电流,说明其在瞬态过载情况下具备一定的鲁棒性,能够应对启动瞬间或异常工况下的电流冲击。这一特性对于防止因瞬时电压波动引起的系统故障至关重要。
最后,BSV16/10符合多项国际安全标准,包括IEC 61010关于测量、控制和实验室用电设备的安全要求,适用于各类认证严格的工业和医疗设备。其长期稳定性、低老化速率以及可预测的失效模式,使得它成为许多高端高压电源系统中的首选整流元件。
BSV16/10高压硅堆主要应用于需要高电压整流且电流需求较小的电子系统中。一个典型应用场景是在X射线发生器的高压电源模块中,用于将升压后的交流高压转换为稳定的直流电压,供给X射线管使用。在此类设备中,可靠性与绝缘性能至关重要,任何微小的漏电或击穿都可能导致设备损坏甚至安全事故,因此BSV16/10凭借其低漏电流和高耐压特性成为理想选择。
在激光器电源系统中,BSV16/10也常被用于泵浦源的高压供电回路,特别是在固态激光器和气体激光器中,用于产生数千伏的直流偏置电压。这类应用通常要求电源具有极高的稳定性和平滑度,而BSV16/10配合滤波电路可以实现高质量的直流输出。
此外,该器件广泛用于静电相关设备,如静电喷涂、静电除尘、静电复印机和激光打印机中的充电辊电源模块。在这些系统中,BSV16/10负责生成维持静电场所需的高压直流,其紧凑的结构和高绝缘性能非常适合空间受限的设计。
在工业检测与分析仪器领域,如质谱仪、粒子探测器和高压探头中,BSV16/10也被用作信号调理或电源整流组件。其长期运行的稳定性确保了测量数据的准确性与一致性。同时,由于其符合安全规范,也可用于科研实验装置中的高压实验平台,支持多种物理与化学实验的开展。
HV816-10
BSV16/10-F
RSR16000/10
MUR16/10