时间：2025/12/23 13:37:22
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IPB80N06S2L-07 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。这款 MOSFET 的额定电压为 60V，最大连续漏极电流可达 80A（在特定条件下），使其非常适合用于工业、汽车以及消费类电子产品的开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场合。
此外，IPB80N06S2L-07 还具备优异的热性能和低栅极电荷特性，有助于减少系统功耗并提高整体效率。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：3.1mΩ
栅极电荷（典型值）：15nC
输入电容（典型值）：2080pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
1. 采用沟槽 MOS 技术，提供极低的导通电阻，从而降低传导损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 80A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，得益于其低栅极电荷设计，适合高频应用。
4. 具备良好的雪崩能力和鲁棒性，能够承受瞬态过压事件。
5. 宽温度范围操作，从 -55℃ 到 +175℃，确保恶劣环境下的可靠性。
6. 热阻低，有助于改善散热性能，提升系统的长期稳定性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各种类型的 DC-DC 转换器，包括降压、升压及反激式拓扑。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的负载切换和功率控制。
6. LED 照明驱动器，实现高效的亮度调节和恒流输出。
IPW90R088C6, IRFZ44N, STP80NF06L
