时间：2025/5/15 14:36:47
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BSZ063N04LS6 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的增强型 N 沟能量 MOSFET。该器件采用 Trench 电荷平衡技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用领域。其封装形式为 LFPAK56D（PowerSO8），能够满足高性能功率转换的需求。
该型号主要设计用于提高功率密度并降低功耗，适合消费电子、工业控制以及汽车电子等多种应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：63A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：78nC
反向恢复时间：49ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK56D（PowerSO8）
BSZ063N04LS6 具有以下显著特点：
1. 极低的），可有效减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
2. 高雪崩能力及强健性，确保在恶劣环境下也能稳定运行。
3. 快速开关性能，降低开关损耗。
4. 小尺寸封装，有助于简化 PCB 设计并节省空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 能够承受高达 63A 的连续漏极电流，适用于大电流应用。
7. 支持宽广的工作温度范围，适应各种严苛工况条件。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子场景中，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动电路。
4. 电池管理系统（BMS）。
5. 负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率级模块。
7. 汽车电子系统，如启动停止功能或电动助力转向系统（EPS）。
BSC063N04LS G
BSC063N04NS5
IRLB8729PBF
