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BSL307SPT 发布时间 时间:2025/12/23 11:09:19 查看 阅读:15

BSL307SPT是一种N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等功率管理领域。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合于高效率功率转换电路设计。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:2.6mΩ
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

BSL307SPT具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,能够满足高频应用需求。
  3. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小型化的TO-252封装,节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
  这些特点使得BSL307SPT非常适合于需要高效能与紧凑设计的场景。

应用

该MOSFET晶体管适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电池保护和负载切换电路。
  4. 电机驱动和逆变器控制。
  5. 电信及数据通信设备中的功率管理模块。
  其出色的电气特性和可靠性使其成为工程师们设计高性能功率转换电路的理想选择。

替代型号

BSL307P, BSL307NSP

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BSL307SPT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)43 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 40μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)805 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TSOP6-6
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6