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AUIRF6218STRL 发布时间 时间:2025/5/19 19:24:11 查看 阅读:8

AUIRF6218STRL是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装。该器件专为汽车级应用设计,具有高可靠性和稳定性,能够在恶劣的环境条件下正常工作。其低导通电阻和快速开关速度使得它非常适合于各种高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用。

参数

型号:AUIRF6218STRL
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装:TO-263
  VDS(漏源电压):55V
  RDS(on)(导通电阻):7.5mΩ(典型值,在VGS=10V时)
  ID(连续漏极电流):56A
  Qg(总栅极电荷):25nC
  fBSOD(反向恢复时间):25ns
  Ptot(总功耗):169W
  Tj(结温范围):-55°C至+175°C

特性

AUIRF6218STRL具备卓越的电气性能和机械强度。
  1. 低导通电阻RDS(on)仅为7.5mΩ,有助于降低导通损耗并提高效率。
  2. 高电流处理能力,能够支持高达56A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,总栅极电荷Qg低至25nC,适合高频应用场景。
  4. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车环境下长期稳定运行。
  5. 工作温度范围广,可适应从-55°C到+175°C的极端温度条件。
  6. 内置雪崩击穿保护功能,增强器件的耐用性。
  7. TO-263封装形式简化了散热设计,并提高了安装灵活性。

应用

AUIRF6218STRL广泛应用于汽车电子系统和其他工业领域中,包括但不限于以下方面:
  1. 汽车启动马达控制电路。
  2. 车载DC-DC转换器和逆变器模块。
  3. 汽车空调压缩机驱动系统。
  4. 电动助力转向系统的功率级。
  5. 高效能开关模式电源(SMPS)中的同步整流电路。
  6. 各种工业设备中的负载开关和保护电路。

替代型号

IRF6218TRPBF

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AUIRF6218STRL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列HEXFET?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)27A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)110 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2210 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB