时间：2025/5/12 21:54:08
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STD2N95K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效开关和低导通电阻的场合。
STD2N95K5的设计目标是提供高效率和出色的热性能，适合于中等功率应用。其关键特性包括较低的导通电阻、较高的漏源击穿电压以及快速的开关速度。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：0.47Ω
栅极阈值电压：2V~4V
功耗：26W
工作结温范围：-55℃~150℃
STD2N95K5具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压为100V，能够满足多种应用场景的需求。
2. 较低的导通电阻（0.47Ω），可以减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。
4. 小巧的TO-220封装形式，便于安装和散热设计。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应各种环境条件下的使用需求。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
STD2N95K5适用于以下典型应用：
1. 开关电源中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 各类负载切换场景，如继电器替代。
4. 照明控制，例如LED驱动电路。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率放大。
6. 消费类电子产品中的电池管理及保护电路。
IRF540N
STP16NF06L
FDP5501
