时间：2025/5/15 11:31:01
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BSC150N03LD G是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TOLL封装，适用于高频开关和高效能功率转换应用。其额定电压为30V，连续漏极电流高达150A，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于直流-直流转换器、同步整流、电机驱动以及电池保护等场景。
这款MOSFET以其卓越的热性能和电气性能而闻名，能够在高电流密度下保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：150A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：96nC
输入电容：4780pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TOLL
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在不同工作条件下均能降低功耗。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提高效率。
4. 优化的热性能设计，允许更高的结温操作。
5. 提供强大的抗雪崩能力和鲁棒性，确保在异常情况下仍能可靠工作。
6. 小巧的TOLL封装形式，便于表面贴装和自动化生产。
1. 服务器和通信电源中的高效功率转换。
2. 工业电机驱动和伺服控制器。
3. 新能源汽车内的电池管理系统（BMS）和DC/DC转换。
4. 开关模式电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 高效负载开关和保护电路。
BSC120N03LS_G, IRF3710TRPBF, FDP150AN03L
