时间：2025/5/20 13:58:22
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BSC070N10NS5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 DPAK (TO-263) 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高效率的应用场景中提供可靠的性能表现。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：9.5mΩ
栅极电荷：26nC
开关频率：最高可达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DPAK (TO-263)
BSC070N10NS5 的主要特性包括：
1. 低导通电阻设计，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用需求。
3. 高击穿电压（100V），适用于多种电压等级的应用。
4. 热稳定性强，能够承受较高结温（高达 175℃）。
5. 小型化封装，便于 PCB 布局优化。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
BSC070N10NS5 广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. LED 驱动器和其他高效能电子设备。
BSC070N10NS3G, IRFZ44N
