MTP5N40E是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Magnate半导体制造。该器件专为高电压和高功率应用设计,适用于各种电子设备,包括电源转换器、电机控制和开关电源等。MTP5N40E具有较低的导通电阻、较高的工作电压和良好的热稳定性,这使其在工业和消费类电子产品中得到广泛应用。该MOSFET采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):400V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5A
脉冲漏极电流(IDM):20A
导通电阻(RDS(on)):≤2.0Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
MTP5N40E的特性之一是其高电压能力,漏源电压达到400V,使其适用于需要高电压操作的电源转换系统。该器件的栅源电压为±20V,确保在各种驱动条件下都能稳定工作。MTP5N40E的导通电阻较低,通常小于或等于2.0Ω,这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。此外,其连续漏极电流为5A,脉冲漏极电流可达20A,适合需要瞬时高电流的应用场景。
该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高达150°C的温度下运行,适合高温环境下的工业应用。MTP5N40E采用TO-220封装,具备优异的散热性能,有助于提高器件在高功率条件下的可靠性。此外,该器件的体积小巧,适合在空间受限的电路板上使用。MTP5N40E还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。
MTP5N40E广泛应用于各种电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动电路、LED照明驱动器以及家电控制电路等。由于其高电压和中等电流能力,MTP5N40E非常适合用于离线式电源设计,如适配器、充电器和UPS(不间断电源)。在工业自动化系统中,该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀和小型电机。此外,MTP5N40E还可用于逆变器和电池管理系统(BMS),以实现高效的能量转换和管理。
在消费类电子产品中,MTP5N40E可用于电源管理模块,提供高效的能量转换。例如,在智能电视、音响系统和家用电器中,该器件可以用于控制高功率负载,如加热元件或风扇。由于其良好的热性能和可靠性,MTP5N40E也可用于工业电机控制,实现更精确的速度和扭矩调节。
RFP5N40、STP5N40Z、IRF740、FQP5N40、SiHP5N40EDS