MTP5N40E 时间：2025/9/4 2:08:34 阅读：23

MTP5N40E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Magnate半导体制造。该器件专为高电压和高功率应用设计，适用于各种电子设备，包括电源转换器、电机控制和开关电源等。MTP5N40E具有较低的导通电阻、较高的工作电压和良好的热稳定性，这使其在工业和消费类电子产品中得到广泛应用。该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.0Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

MTP5N40E的特性之一是其高电压能力，漏源电压达到400V，使其适用于需要高电压操作的电源转换系统。该器件的栅源电压为±20V，确保在各种驱动条件下都能稳定工作。MTP5N40E的导通电阻较低，通常小于或等于2.0Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，其连续漏极电流为5A，脉冲漏极电流可达20A，适合需要瞬时高电流的应用场景。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高达150°C的温度下运行，适合高温环境下的工业应用。MTP5N40E采用TO-220封装，具备优异的散热性能，有助于提高器件在高功率条件下的可靠性。此外，该器件的体积小巧，适合在空间受限的电路板上使用。MTP5N40E还具备较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。

应用

MTP5N40E广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动电路、LED照明驱动器以及家电控制电路等。由于其高电压和中等电流能力，MTP5N40E非常适合用于离线式电源设计，如适配器、充电器和UPS（不间断电源）。在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀和小型电机。此外，MTP5N40E还可用于逆变器和电池管理系统（BMS），以实现高效的能量转换和管理。
　　在消费类电子产品中，MTP5N40E可用于电源管理模块，提供高效的能量转换。例如，在智能电视、音响系统和家用电器中，该器件可以用于控制高功率负载，如加热元件或风扇。由于其良好的热性能和可靠性，MTP5N40E也可用于工业电机控制，实现更精确的速度和扭矩调节。