时间：2025/7/1 21:03:07
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BSO110N03MS是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性。适用于各种需要高效功率转换和开关的应用场景。其封装形式通常为TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
该MOSFET主要应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关等领域，凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ (在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：185W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263 (DPAK)
输入电容(Ciss)：3090pF
输出电容(Coss)：135pF
反向传输电容(Crss)：75pF
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关特性，减少开关损耗并提高工作频率。
4. 小型化的表面贴装封装，节省PCB空间。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下依然稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
7. 内置ESD保护功能，提高抗静电能力，延长使用寿命。
8. 热阻低，有助于散热管理，进一步提升整体性能。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. DC-DC转换器的核心功率元件。
5. LED照明驱动电路中的电流控制。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
7. 各类电池管理系统（BMS）中的充放电保护。
8. 能量回收和可再生能源转换装置中的逆变器组件。
IRLB8748PBF, SI7153DP, FDS6680A
