时间：2025/5/13 18:25:09
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CDR01BP121BKZSAT 是一款由 ON Semiconductor 提供的功率 MOSFET，采用 TO-263-3 (D2PAK) 封装形式。该器件主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用中。其设计目的是在高频开关条件下提供低导通电阻和高电流处理能力，从而优化系统性能并降低功耗。
该型号属于 P 沟道增强型 MOSFET，具有出色的电气特性和热性能，使其非常适合于各种工业和汽车级应用。
类型：P沟道 MOSFET
封装：TO-263-3 (D2PAK)
最大漏源电压 VDS：40V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：-8.9A
导通电阻 RDS(on)：75mΩ（典型值，在 VGS=-10V 下）
总功耗 PD：115W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CDR01BP121BKZSAT 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 支持高温操作，工作结温可达 175°C，非常适合汽车和工业领域。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
6. 稳定的动态性能，确保在复杂电路中的可靠性。
这些特性使得 CDR01BP121BKZSAT 成为高效功率转换和负载切换的理想选择。
CDR01BP121BKZSAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器，用于电池供电设备和通信设备。
3. 电机驱动控制，例如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
4. 汽车电子系统，如发动机控制单元 (ECU) 和车身控制模块 (BCM)。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. LED 驱动器和其他需要高效率功率管理的应用。
由于其强大的电气性能和耐高温能力，该器件特别适合对可靠性和效率要求较高的场景。
CDR01BP121BKTSA, FDP5800, IRF5305
