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NDS9952A 发布时间 时间:2025/6/6 10:23:03 查看 阅读:21

NDS9952A是一款高性能的P沟道功率MOSFET,适用于多种电源管理应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  其封装形式为SOT-23,体积小巧,适合空间受限的设计环境。NDS9952A广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及其他需要高效功率切换的应用场景。

参数

最大漏源电压:-40V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:-1.6A
  导通电阻:0.07Ω
  栅极电荷:1.5nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

NDS9952A具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下减少功率损耗。
  2. 高速开关性能,有助于提升开关电源系统的整体效率。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB板面积。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

NDS9952A主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品的负载开关,例如手机、平板电脑等。
  2. 便携式设备中的电池保护电路。
  3. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  4. 低电压、小尺寸要求的电源管理系统。
  5. 各种逆向电流保护电路设计。

替代型号

NDS9953A, SI2303DS, FDN340P

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NDS9952A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A,2.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds320pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDS9952ATR