时间：2025/6/4 18:21:09
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BSC050N04LSGATMA1 是一款来自英飞凌（Infineon）的 N 沃型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用超薄 TOLL 封装，专为高效率和低导通电阻的应用场景设计。其最大工作电压为 40V，典型导通电阻非常低，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等应用中。
该 MOSFET 的特点包括极低的导通电阻、快速开关性能以及良好的热稳定性，同时封装紧凑，有助于节省 PCB 空间。
额定电压：40V
额定电流：87A
导通电阻（Rds(on)）：0.59mΩ
栅极电荷（Qg）：26nC
输入电容（Ciss）：3140pF
反向恢复时间（trr）：44ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
BSC050N04LSGATMA1 具有出色的电气性能，其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功耗并提高效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高额定电流能力，适用于大功率系统。
4. 良好的热稳定性和耐用性，确保在极端温度环境下可靠运行。
5. 超薄 TOLL 封装，有助于简化散热设计并节省空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
这些特性使得该 MOSFET 成。
BSC050N04LSGATMA1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统，如电池管理、车载充电器及逆变器。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能微逆变器及其他可再生能源应用。
由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 在众多需要高效能和高功率密度的场合表现出色。
BSC050N04LS_G, IRFZ44N, FDP55N06L
