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BSC050N04LSGATMA1 发布时间 时间:2025/6/4 18:21:09 查看 阅读:5

BSC050N04LSGATMA1 是一款来自英飞凌(Infineon)的 N 沃型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用超薄 TOLL 封装,专为高效率和低导通电阻的应用场景设计。其最大工作电压为 40V,典型导通电阻非常低,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等应用中。
  该 MOSFET 的特点包括极低的导通电阻、快速开关性能以及良好的热稳定性,同时封装紧凑,有助于节省 PCB 空间。

参数

额定电压:40V
  额定电流:87A
  导通电阻(Rds(on)):0.59mΩ
  栅极电荷(Qg):26nC
  输入电容(Ciss):3140pF
  反向恢复时间(trr):44ns
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSC050N04LSGATMA1 具有出色的电气性能,其主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗并提高效率。
  2. 快速开关性能,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高额定电流能力,适用于大功率系统。
  4. 良好的热稳定性和耐用性,确保在极端温度环境下可靠运行。
  5. 超薄 TOLL 封装,有助于简化散热设计并节省空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
  这些特性使得该 MOSFET 成。

应用

BSC050N04LSGATMA1 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 汽车电子系统,如电池管理、车载充电器及逆变器。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  5. 太阳能微逆变器及其他可再生能源应用。
  由于其卓越的性能和可靠性,这款 MOSFET 在众多需要高效能和高功率密度的场合表现出色。

替代型号

BSC050N04LS_G, IRFZ44N, FDP55N06L

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BSC050N04LSGATMA1参数

  • 现有数量118,700现货
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)5,000 : ¥3.03308卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 27μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)47 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3700 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),57W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TDSON-8-5
  • 封装/外壳8-PowerTDFN