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APTGT75X60T3G 发布时间 时间:2025/7/26 7:47:24 查看 阅读:19

APTGT75X60T3G是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的高功率双极型晶体管(BJT),主要用于高功率放大器和开关应用。该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能和稳定的电气特性,适用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域的高功率处理需求。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):600V
  最大集电极电流(IC):75A
  最大功耗(PD):375W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

APTGT75X60T3G具备优异的热稳定性和耐压能力,能够在高电压和高电流条件下可靠工作。
  该晶体管的封装设计优化了散热性能,有效降低工作时的温度上升,提高长期使用的可靠性。
  其高功率处理能力使其适用于各种高功率电子设备,如电机驱动器、电源转换器、UPS系统以及工业自动化控制系统。
  此外,APTGT75X60T3G在开关应用中表现出较低的饱和压降(VCE(sat)),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
  该器件还具备良好的短路耐受能力,增强了在恶劣工作环境下的稳定性与安全性。

应用

APTGT75X60T3G广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统中,例如:
  1. 工业电源和电机驱动器:用于控制高功率电机的启停和调速。
  2. 不间断电源(UPS)系统:作为主开关器件,实现电源的快速切换与稳定输出。
  3. 逆变器和变频器:用于将直流电转换为交流电,并调节输出频率。
  4. 高功率放大器:用于音频或射频放大电路中,提供高输出功率。
  5. 电力电子变换器:如DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于能量转换和管理。

替代型号

APTGT75X60T3G的替代型号包括:APTGT75X60T3, APTGT75X60JF, APTGT75X60T

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APTGT75X60T3G参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.9V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
  • 电流 - 集电极截止(最大)250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)4.62nF @ 25V
  • 功率 - 最大250W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SP3
  • 供应商设备封装SP3