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AO4801 发布时间 时间:2025/6/22 8:48:49 查看 阅读:4

AO4801是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于空间受限的应用场景。
  AO4801的设计目标是满足消费类电子、计算机及外设、通信设备等领域的需求。其出色的电气性能使其成为电源管理电路的理想选择,例如负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻(典型值,Vgs=4.5V):55mΩ
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):37mΩ
  栅极电荷:3nC
  反向恢复时间:无(因无体二极管)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

AO4801具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 小型DFN2020-6封装,节省PCB板空间,适合便携式设备。
  3. 快速开关速度,能够有效减少开关损耗。
  4. 高度可靠的制造工艺,保证产品长期稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于焊接加工。

应用

AO4801广泛应用于多种领域中的电路设计:
  1. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  2. 计算机及外设设备中的负载开关和保护电路。
  3. 通信系统中的信号调节与功率分配。
  4. 电池供电设备中的电池保护和充电管理。
  5. 各种DC-DC转换器和升压/降压电路中作为功率开关使用。

替代型号

AO3401A, SI2302DS, FDMC880

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AO4801参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)48 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)645pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC