VT2U5CR561B 时间：2025/8/27 18:38:21 阅读：4

VT2U5CR561B 是一款由 Vishay Siliconix 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理与开关应用。该器件采用先进的TrenchFET?技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统等领域。VT2U5CR561B 采用紧凑的PowerPAK? 5x6封装，能够在有限的空间内提供高性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=4.5V时为5.6mΩ；@VGS=2.5V时为7.2mΩ
　　功耗（PD）：4.6W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerPAK? 5x6

特性

VT2U5CR561B 的核心优势在于其卓越的导通性能和快速的开关速度，使其在高频率开关应用中表现出色。该器件采用了Vishay的TrenchFET?技术，使得RDS(on)显著降低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该MOSFET具有优异的热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行，适用于对热管理要求严格的工业和汽车应用。
　　其PowerPAK? 5x6封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，还具备良好的散热能力。封装材料符合RoHS标准，并且具备出色的机械稳定性和耐久性。VT2U5CR561B 支持宽范围的栅极驱动电压，兼容3.3V、5V及12V逻辑电平驱动，适用于多种控制电路架构。
　　此外，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在突发电压冲击情况下的可靠性。其高抗干扰能力和较低的寄生电容使其在高频操作中保持良好的稳定性，适合用于同步整流、负载开关、电池管理系统（BMS）等关键电路中。

应用

VT2U5CR561B 适用于多种电源管理与功率控制应用，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动器、电源适配器、工业自动化设备、电动工具以及汽车电子系统等。其优异的导通特性和紧凑的封装设计，使其在空间受限和高效率要求的应用场景中尤为受欢迎。