QST1100 时间：2025/8/12 15:05:08 阅读：4

QST1100 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的NPN型双极性晶体管（BJT），广泛应用于低频功率放大和开关电路中。该晶体管具有较高的电流放大系数和良好的热稳定性，适用于多种中低功率电子设备。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大功耗（PD）：2W
　　电流增益（hFE）：30-100（取决于工作条件）
　　最大频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

QST1100 的主要特性包括其高电流承载能力和良好的热性能，使其在多种放大和开关应用中表现出色。其封装设计（通常为TO-220或类似封装）有助于有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，能够在不同的工作电流下保持稳定的放大性能。QST1100 也具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。
　　此外，QST1100 的高频响应特性使其适用于中频放大电路，同时在数字开关电路中也能提供快速的响应和可靠的性能。