时间：2025/5/7 13:49:34
阅读：8
BSC035N04LSG 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沱道沟增强型功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于各种功率转换和电机驱动场景。
该芯片专为高能效设计而优化，能够在高温环境下保持出色的性能稳定性，同时具备较低的开关损耗。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及电动工具等需要高效功率管理的场合。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：129A
导通电阻（Rds(on)）：0.75mΩ
栅极电荷（Qg）：88nC
反向恢复时间（trr）：46ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
BSC035N04LSG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流处理能力，能够支持高达 129A 的连续漏极电流。
3. 采用 TOLL 封装技术，这种封装形式不仅提供了优越的热性能，还支持高效的 PCB 安装工艺。
4. 短反向恢复时间 (trr)，有助于减少开关损耗，从而提升高频下的性能。
5. 宽温度范围操作，适用于恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
BSC035N04LSG 广泛用于以下领域：
1. 电动汽车中的电机驱动和电源管理系统。
2. 工业自动化设备中的高效 DC-DC 转换器。
3. 通信电源和服务器电源中的同步整流电路。
4. 大功率 LED 驱动和太阳能微型逆变器。
5. 各种高性能电动工具和家用电器的功率控制模块。
这款 MOSFET 凭借其卓越的性能和可靠性，非常适合对效率和散热要求较高的应用环境。
BSC036N04LS_G, IRFB4110TRPBF
