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SI8275DBD-IS1 发布时间 时间:2025/12/27 7:03:37 查看 阅读:14

Silicon Labs 的 SI8275DBD-IS1 是一款高性能的双通道数字隔离器,专为在高噪声工业环境或需要电气隔离的系统中提供安全、可靠的信号传输而设计。该器件采用 Silicon Labs 独有的专利 CMOS 工艺和射频调制技术,通过片上微型变压器实现输入与输出之间的电隔离,从而有效阻断接地环路、抑制共模噪声并保护敏感电路免受高压瞬变的影响。SI8275DBD-IS1 提供两个独立的隔离通道,均支持双向数据传输,具备高达 5 kVRMS 的隔离耐压能力,并符合 UL、CSA、VDE 和 CQC 等国际安全标准,适用于全球范围内的工业、医疗和消费类应用。该芯片工作温度范围宽(-40°C 至 +125°C),支持 3.0 V 至 5.5 V 的宽电源电压范围,兼容低电压逻辑接口,适合现代混合电压系统的设计需求。封装形式为 8 引脚窄体 SOIC(Small Outline Integrated Circuit),具有较小的爬电距离和电气间隙,适用于空间受限的应用场景。此外,SI8275DBD-IS1 具备出色的电磁兼容性(EMC)性能和高抗干扰能力,能够在恶劣电磁环境中稳定运行。

参数

型号:SI8275DBD-IS1
  制造商:Silicon Labs (Skyworks Solutions, Inc.)
  通道数:2
  方向性:双向(双通道可独立配置)
  隔离耐压:5000 VRMS(1 分钟,UL 1577)
  工作电压(VCC):3.0 V 至 5.5 V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  数据速率:最高支持 150 Mbps
  传播延迟:典型值 20 ns
  脉冲宽度失真:最大 5 ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):±100 kV/μs
  安全认证:UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5(VDE 0884-10)、GB/T 17626.4
  封装类型:8-SOIC(Narrow Body)
  爬电距离:>8.0 mm(依据 IEC 60664-1)
  电气间隙:>8.0 mm
  供电电流(每通道):典型值 2.5 mA @ 5 V, 1 Mbps

特性

SI8275DBD-IS1 采用 Silicon Labs 的专有硅基隔离技术,利用高频载波调制原理实现信号跨隔离栅的高效传输。其核心机制是将输入端的数字信号调制成射频信号,通过集成在芯片内部的微型变压器进行耦合,再在输出端解调还原为原始数字信号。这种基于 CMOS 工艺的隔离方案相比传统的光耦合器具有显著优势:无需发光二极管和光电晶体管,因此不存在老化问题,寿命更长;同时具备更高的数据传输速率和更低的功耗。该器件的两个通道均为双向设计,允许用户根据系统需求灵活配置数据流向,极大提升了设计灵活性,特别适用于需要双向通信的隔离总线或反馈控制回路。
  该芯片具备卓越的抗噪声能力,其共模瞬态抗扰度(CMTi)高达 ±100 kV/μs,意味着即使在存在快速电压跳变的高压环境中(如电机驱动或逆变器系统),也能保证信号完整性,防止误触发或数据丢失。此外,SI8275DBD-IS1 内部集成了故障安全输出功能,在输入信号丢失或电源异常时,输出端可保持预定义状态(如高电平或低电平),提升系统安全性。其宽工作电压范围(3.0–5.5 V)支持与多种微控制器、FPGA 和逻辑器件直接接口,无需额外电平转换电路。
  从可靠性角度看,SI8275DBD-IS1 经过严格的老化测试和高温高湿反向偏压(H3TRB)验证,确保长期运行稳定性。其 SOIC-8 封装不仅满足工业级机械强度要求,还通过优化引脚布局减小寄生参数,降低电磁辐射。该器件符合 RoHS 指令且无卤素,适合绿色电子产品制造。整体而言,SI8275DBD-IS1 在性能、可靠性和集成度方面均表现出色,是替代传统光耦的理想选择。

应用

SI8275DBD-IS1 广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中,尤其适用于工业自动化与控制系统。例如,在可编程逻辑控制器(PLC)模块中,它可用于隔离数字输入/输出通道,防止现场传感器或执行器的高压干扰影响主控单元。在电机驱动和逆变器系统中,该器件常用于隔离微处理器发出的 PWM 控制信号与功率桥臂的驱动电路之间,保障低压控制侧的安全。此外,在开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中,SI8275DBD-IS1 可实现反馈环路的隔离,用于传输电压或电流采样信号,提高电源系统的稳定性和安全性。
  在新能源领域,该芯片也常见于太阳能逆变器和电动汽车充电桩中的通信隔离接口,确保不同地电位子系统间的数据可靠传输。在医疗设备中,由于其符合严格的电气安全标准(如 IEC 60601),可用于病人连接设备的信号隔离,防止漏电流对患者造成危害。此外,工业通信接口如 RS-485、CAN 总线等,在长距离传输时易受地电位差影响,使用 SI8275DBD-IS1 进行隔离可有效消除共模干扰,提升通信可靠性。
  在测试与测量仪器中,该器件用于隔离采集前端与主处理单元,避免测试探头引入的噪声影响测量精度。其高数据速率支持高速数字信号隔离,适用于编码器反馈、高速 GPIO 扩展等场景。由于其小型化封装和高集成度,也适合用于紧凑型嵌入式系统和物联网网关设备中的隔离设计。总之,凡涉及高低压混合供电、远距离信号传输或强电磁干扰环境的应用,SI8275DBD-IS1 都是一个理想的选择。

替代型号

Si8275BB-D-ISR
  Si8275DBD-IS1R

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SI8275DBD-IS1参数

  • 现有数量100现货
  • 价格1 : ¥43.96000管件
  • 系列Si827x
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术射频耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)200kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)75ns,75ns
  • 脉宽失真(最大)8ns
  • 上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns
  • 电流 - 输出高、低1.8A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电4.2V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UL,VDE