型号：TR100JBE0120
　　制造商：Vishay Siliconix
　　类型：N沟道MOSFET
　　工艺技术：TrenchFET
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　漏源电压VDS：100 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：120 A
　　脉冲漏极电流IDM：480 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：0.95 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：1.2 mΩ
　　导通电阻RDS(on) typ @ VGS = 10 V：0.85 mΩ
　　阈值电压VGS(th)：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：12600 pF
　　输出电容Coss：3700 pF
　　反向传输电容Crss：170 pF
　　栅极电荷Qg（@10V）：260 nC
　　上升时间tr：38 ns
　　下降时间tf：22 ns
　　体二极管反向恢复时间trr：26 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻RθJA：35 K/W
　　热阻RθJC：1.5 K/W

TR100JBE0120采用Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡。其超低RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，特别是在10V和4.5V栅极驱动条件下均表现出色，适用于多种供电电压平台下的高效能需求。该器件具备出色的热传导设计，通过底部暴露焊盘有效将热量传递至PCB，显著提升散热效率，从而支持持续大电流运行而不会过热。其高电流承载能力（可达120A连续漏极电流）使其非常适合用于高功率密度电源系统，如服务器电源、电动汽车辅助系统和工业电机控制器。
　　Trench结构优化了电场分布，降低了导通损耗和开关损耗，同时提高了器件的dv/dt抗扰度，减少误触发风险。集成的体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr），有助于减小桥式电路中的环流损耗，并降低电磁干扰（EMI）。该MOSFET还具备强大的雪崩耐量能力，能够承受非重复性电压击穿事件而不损坏，增强了系统的鲁棒性和可靠性。所有参数均在宽温度范围内进行了测试验证，确保从低温启动到高温满载工况下的一致性能表现。
　　此外，TR100JBE0120符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适用于车载电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电机（OBC）和DC-DC变换器模块。其无铅、无卤素的环保材料构成满足现代绿色制造要求。器件还具备优良的抗湿气性能和长期稳定性，经过严格的高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和压力蒸煮试验（PCT）验证，确保在恶劣环境下长期可靠运行。

TR100JBE0120广泛应用于各类高性能电源管理系统中，尤其适用于需要高效率和高功率密度的设计场景。典型应用包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中其低导通电阻可显著降低传导损耗，提高整体转换效率。在服务器和通信设备的多相电压调节模块（VRM）中，该器件可用于主开关管或同步整流管，支持快速动态响应和高电流输出。在电机驱动领域，TR100JBE0120可用于H桥或三相逆变器拓扑结构中，驱动直流无刷电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM），实现精确的速度和扭矩控制。
　　在汽车电子方面，该器件适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中的预充/主接触器替代方案以及电动涡轮增压器驱动电路。其高可靠性和宽温度适应性使其能在极端环境温度下稳定工作。此外，在工业自动化控制系统中，TR100JBE0120可用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）和智能配电单元，提供快速开关和过载保护功能。在消费类高端产品如游戏主机、笔记本电脑适配器和大功率LED驱动电源中也有广泛应用前景。

SiR100DP
　　IRLHS6290
　　CSD1003X