时间：2025/4/29 17:59:33
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BSC028N06NSSC 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Infineon（英飞凌）公司生产。该器件采用 SMD 封装，适用于多种开关和电阻和高效率的特性使其成为工业、消费电子以及汽车领域中的理想选择。
BSC028N06NSSC 的主要功能是作为高效的开关或负载驱动器使用。它可以在高频和高压条件下工作，并且具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：11A
最大栅极驱动电压：±20V
导通电阻（典型值）：28mΩ
总功耗：45W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-Leadless (DTPAK)
工作频率：高达 500kHz
BSC028N06NSSC 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 良好的热性能，确保长时间稳定运行。
6. 可靠的电气隔离和抗 EMI 干扰能力。
这些特性使得 BSC028N06NSSC 成为电机驱动、DC-DC 转换器、开关电源等领域的优选解决方案。
BSC028N06NSSC 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
3. 工业自动化中的电机驱动和逆变器。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 消费类电子产品中的高效电源管理。
由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 在需要高效率和紧凑设计的应用场景中表现尤为突出。
BSC028N06NS3, IRFZ44N, FDP028N06L
