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STF5NK52ZD 发布时间 时间:2025/7/22 13:41:44 查看 阅读:6

STF5NK52ZD 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件主要用于高功率开关应用,如电源转换、电机控制和负载开关等场景。STF5NK52ZD采用先进的技术设计,具备较低的导通电阻和优异的开关性能,能够有效降低功耗并提高系统效率。这款MOSFET通常采用TO-220或D2PAK等封装形式,便于散热并适用于各种工业级应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):5A
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(典型值)
  功率耗散(Ptot):40W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK

特性

STF5NK52ZD具有多项优异的电气和物理特性。首先,其高耐压能力(500V Vds)使其适用于高压应用环境,例如开关电源和电机驱动电路。其次,低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下稳定运行,增强了系统的可靠性。
  STF5NK52ZD的栅极驱动特性也十分优异,能够快速响应开关信号,减少开关过程中的能量损耗。其封装设计优化了散热性能,适合在高功率密度环境中使用。最后,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,符合现代电子产品的环保要求。

应用

STF5NK52ZD广泛应用于多种高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)中的功率开关、DC-DC转换器、电机驱动电路、工业自动化控制系统以及负载开关电路。由于其高耐压和低导通电阻特性,该MOSFET也常用于LED照明驱动、电池管理系统(BMS)以及家用电器中的功率控制部分。此外,在需要高可靠性和长寿命的工业设备中,STF5NK52ZD也扮演着关键的开关元件角色。

替代型号

STF5NM52, STF5N52K3, STF5NK52Z

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STF5NK52ZD参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压520 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流4.4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)1.5 Ohms at 10 V (Typ)
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Tube
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散25 W
  • 典型关闭延迟时间23.1 ns