NTMFS0D55N03CGT1G是一款来自安森美(ON Semiconductor)的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能电源管理、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为TO-263(DPAK),能够提供出色的散热性能和可靠性。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域,尤其是在需要高性能功率转换和开关操作的应用场景中。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:49A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷(典型值):17nC
总功耗:250W
工作结温范围:-55℃ to +175℃
封装类型:TO-263(DPAK)
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力,适用于大功率应用。
3. 快速开关性能,降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 小巧且高效的TO-263封装,便于PCB布局与散热设计。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化系统中的负载控制。
5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)。
6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
NTMFS0D55N03CGT1
NTMFS0D55N03C
FDP55N03L
IRLR7843PBF