您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTMFS0D55N03CGT1G

NTMFS0D55N03CGT1G 发布时间 时间:2025/5/28 21:36:42 查看 阅读:11

NTMFS0D55N03CGT1G是一款来自安森美(ON Semiconductor)的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能电源管理、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为TO-263(DPAK),能够提供出色的散热性能和可靠性。
  这款MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域,尤其是在需要高性能功率转换和开关操作的应用场景中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):17nC
  总功耗:250W
  工作结温范围:-55℃ to +175℃
  封装类型:TO-263(DPAK)

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力,适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,降低开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
  5. 小巧且高效的TO-263封装,便于PCB布局与散热设计。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化系统中的负载控制。
  5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)。
  6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。

替代型号

NTMFS0D55N03CGT1
  NTMFS0D55N03C
  FDP55N03L
  IRLR7843PBF

NTMFS0D55N03CGT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTMFS0D55N03CGT1G参数

  • 现有数量1,290现货4,500Factory
  • 价格1 : ¥44.20000剪切带(CT)1,500 : ¥23.35936卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.58mOhm @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 330μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)224.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)18500 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装5-DFN(5x6)(8-SOFL)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN,5 引线