时间：2025/5/28 21:36:42
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NTMFS0D55N03CGT1G是一款来自安森美（ON Semiconductor）的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能电源管理、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为TO-263（DPAK），能够提供出色的散热性能和可靠性。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域，尤其是在需要高性能功率转换和开关操作的应用场景中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：49A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：17nC
总功耗：250W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263（DPAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 小巧且高效的TO-263封装，便于PCB布局与散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化系统中的负载控制。
5. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）。
6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
NTMFS0D55N03CGT1
NTMFS0D55N03C
FDP55N03L
IRLR7843PBF
