类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　封装形式：SOD-882
　　工作电压：5.0V
　　最大反向工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小5.56V，典型6.2V，最大6.82V
　　钳位电压（VC）：最大13.3V（在Ipp = 7.5A时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：7.5A（8/20μs波形）
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（最大）
　　响应时间：小于1ps
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

SM1105-DE1S-ET 采用先进的硅雪崩技术，具备极快的响应时间，可在纳秒级别内响应瞬态电压事件，从而有效保护下游电路。该器件的封装形式为 SOD-882，体积小巧，适合在空间受限的应用中使用。其钳位电压较低，能够在瞬态事件中提供更高级别的电路保护。此外，该TVS二极管具有高能量吸收能力，可承受多次高能浪涌冲击而不失效。其表面贴装封装便于自动化生产和回流焊工艺，提高了生产效率和可靠性。SM1105-DE1S-ET 的低漏电流特性确保了在正常工作条件下的低功耗和稳定性。
　　该器件的另一个重要特性是其双极性结构，能够有效应对正负极性的瞬态电压冲击，这使得它在保护高速数据线路和电源线路时表现尤为出色。由于其出色的电气性能和机械强度，该TVS二极管广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制系统等领域。

SM1105-DE1S-ET 主要用于需要高可靠性瞬态电压保护的场合，例如便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、通信设备（如以太网接口、USB接口）、计算机外围设备（如键盘、鼠标）、工业控制系统和传感器接口等。该器件特别适用于需要保护敏感电子元件免受静电放电和其他瞬态电压影响的高速信号线路和电源线路。此外，它也常用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）和传感器接口等，以提高系统的可靠性和抗干扰能力。

SMF5.0A-TR, PESD5V0S1BA-TR