类型：数字隔离器
　　通道数：6
　　通道方向配置：可配置（默认3正向3反向）
　　数据速率：最高150 Mbps
　　隔离电压：5000 Vrms（1分钟，UL认证）
　　工作电压：VDD1/VDD2 = 2.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：宽体SOIC-28
　　绝缘材料：聚酰亚胺电容介质
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs（典型值）
　　传播延迟：典型30 ns
　　电源电流：每通道约1.2 mA（@ 5V, 1 Mbps）
　　安全标准：IEC/EN/DIN EN 60747-17, UL1577, CSA
　　爬电距离：8 mm（最小）
　　间隙距离：8 mm（最小）
　　失效保护输出：高电平或低电平可选

SI8663BD-AS 采用 Silicon Labs 独有的双电容链隔离架构，利用高频调制技术将数字信号跨过隔离栅进行传输。这种基于电容的隔离机制相比传统的光耦合器具有显著优势，包括更长的使用寿命、更高的温度稳定性以及更快的响应速度。每个通道内部由差分电容对构成信号通路，并结合射频调制与解调电路实现高效、可靠的信号传输。该结构还能有效抑制共模噪声，确保在高噪声工业环境中保持数据完整性。
　　该器件支持宽电压供电范围（2.5V–5.5V），允许其在混合电压系统中灵活使用，例如将3.3V控制器与5V传感器或执行器连接。所有六个通道均可独立配置方向，极大提升了系统布线自由度，减少了对外部逻辑器件的需求。其高达150 Mbps的数据速率足以满足高速串行通信协议的要求，如SPI主从通信或多通道数据采集系统中的实时控制环路。
　　SI8663BD-AS 具备出色的电磁兼容性（EMC）性能，CMTI指标达到±100 kV/μs，意味着即使在存在剧烈电压跳变的电力电子环境中（如变频驱动或开关电源），也能防止误触发和信号失真。此外，器件内部集成了信号衰减检测和刷新机制，可在无输入跳变时维持正确的输出状态，避免因静态信号导致的通信中断。
　　另一个关键特性是其老化性能远优于光电耦合器。传统光耦依赖LED发光强度，随着时间推移会逐渐衰减，而SI8663BD-AS 基于无源电容结构，几乎不存在性能退化问题，从而显著延长了产品生命周期并降低了维护成本。同时，其低功耗设计有助于减少系统热量积聚，特别适用于高密度板级布局。
　　该芯片还支持热插拔和上电复位功能，确保在系统启动过程中输出处于确定状态，防止意外动作。所有这些特性共同使 SI8663BD-AS 成为现代工业和能源系统中理想的隔离解决方案。

SI8663BD-AS 广泛用于需要电气隔离以保障安全与信号完整性的各类高性能电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和现场总线接口中，实现控制器与执行机构之间的隔离通信，防止地环路干扰和高压窜入损坏敏感逻辑电路。
　　在电机驱动和逆变器系统中，该器件可用于隔离微控制器与栅极驱动器之间的PWM控制信号，确保高边和低边开关管的安全切换，同时承受桥式电路中常见的高dv/dt应力。其高CMTI能力和快速响应时间对于维持精确的开关时序至关重要，有助于提高能效并降低电磁干扰。
　　在新能源应用如太阳能逆变器和电动汽车充电桩中，SI8663BD-AS 提供必要的隔离屏障，用于监控直流母线电压、电流采样反馈以及与电网通信的接口部分。这些场景通常面临高温、高湿和长期连续运行的挑战，而该芯片的高可靠性和耐久性正好满足此类需求。
　　医疗设备也是其重要应用领域之一，尤其是在病人连接型仪器中（如监护仪、透析机等），必须符合严格的安全隔离规范。SI8663BD-AS 满足医疗级绝缘要求，可有效防止漏电流危害患者安全。
　　此外，在测试测量设备、数据采集系统和隔离式ADC/DAC接口中，该器件可用于保护主机MCU免受外部传感器端子可能引入的浪涌或故障电压影响，提升整体系统稳健性。

ISO6763
　　ADM3263E
　　Si8663BB
　　MAX14850E