时间：2025/5/7 15:42:26
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ZXTN19020DZTA 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于功率管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种需要高效开关的应用场景。其封装形式为 DPAK，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合高效率电源转换和大电流应用。
这款 MOSFET 以其出色的开关性能和低导通损耗而著称，广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：56A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：80nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ZXTN19020DZTA 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 1.3mΩ，从而减少了导通时的功耗。
2. 高电流处理能力，能够承受高达 56A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，适用于高频开关电路。
4. 强大的热稳定性，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
6. 封装形式为 DPAK，具备良好的散热性能，便于 PCB 设计和布局。
ZXTN19020DZTA 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 各种类型的负载开关和电机驱动电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制模块。
4. 工业自动化设备中的功率转换和控制单元。
5. 消费类电子产品的电源管理和充电电路。
6. LED 驱动电路以及其他需要高效功率切换的场合。
ZXTN19015DZT, ZXTN19025DZTA
