类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：120A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（典型值为3.8mΩ）
　　栅极电荷(Qg)：150nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
　　工艺技术：沟槽型功率MOSFET

SDP137HVTMD 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高整体效率。该器件采用了先进的 PowerFLAT 封装技术，具有出色的散热性能，可以在高温环境下稳定运行。
　　此外，SDP137HVTMD 的栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少开关过程中的能量损失，从而提升开关速度和系统的整体响应能力。这种特性对于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路特别重要。
　　该 MOSFET 支持宽广的工作温度范围（从 -55°C 到 +175°C），因此非常适合用于工业级和汽车级应用场景，如电动汽车电池管理系统、工业逆变器以及电动工具的电机控制器。
　　PowerFLAT 5x6 HV 封装还提供了增强的电气隔离能力，能够承受较高的工作电压，同时保持良好的机械强度和长期可靠性。

SDP137HVTMD 广泛应用于各种电力电子设备中，尤其是在需要高效率、高可靠性和紧凑设计的场合。例如，在电动车（EV）充电模块中，它可以作为主功率开关，帮助实现高效的电能转换；在服务器电源和电信设备的电源供应单元中，它可用于构建高效率的同步降压或升压变换器。
　　此外，该器件也常用于电机控制和H桥电路中，作为高速开关来驱动直流电机或步进电机，确保快速响应和精确控制。在工业自动化系统中，SDP137HVTMD 可以被用作负载开关，用于控制大功率负载的开启与关闭。
　　由于其高耐压能力和优秀的热管理性能，该 MOSFET 还适合用于太阳能逆变器、储能系统以及不间断电源（UPS）等新能源领域的产品设计中。

STL137HVT, SDP137HF5, IPB137H10N