时间：2025/8/2 9:00:57
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BS170FTA是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ROHM Semiconductor制造。它具有高开关速度、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于多种电源管理及开关应用。BS170FTA采用SOT-223封装，适用于表面贴装技术，适合在紧凑型设计中使用。这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源管理电路中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：500mA
导通电阻（RDS(on)）：3.5Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：1.25W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-223
BS170FTA具有多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。
首先，它的低导通电阻（RDS(on)）为3.5Ω，这意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较低，有助于提高整体系统的能效。
其次，BS170FTA的漏源电压（VDS）为60V，使其能够适用于中等电压范围的应用，例如小型电源转换器和电机驱动电路。
此外，该器件的连续漏极电流为500mA，能够满足多种低功率应用的需求。栅源电压范围为±20V，具有较强的抗电压波动能力，提高了器件的稳定性。
BS170FTA采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性。其最大功率耗散为1.25W，适用于低功耗设计。
最后，该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，具备较强的环境适应能力，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
BS170FTA广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效能、低功耗和小尺寸设计的场合。
首先，它常用于DC-DC转换器中，作为开关元件，实现电压转换和稳压功能。由于其低导通电阻和高开关速度，可以有效减少能量损耗，提高转换效率。
其次，BS170FTA适用于电池管理系统，如便携式设备中的电源管理模块。它可以作为负载开关使用，控制电池的充放电过程，延长电池寿命并提高安全性。
此外，该MOSFET也常用于小型电机驱动电路、LED驱动器和传感器控制电路中。其高可靠性和良好的温度特性使其在工业自动化、消费电子和汽车电子等领域具有广泛应用前景。
最后，BS170FTA还适用于电源管理IC的外围电路，作为辅助开关元件，实现更灵活的电源控制。
2N7000, BSS138, IRLML6401, FDV301N
