时间：2025/12/24 12:37:26
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HH18N391F500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
HH18N391F500CT 的封装形式为 TO-247，适合高功率应用场合。其设计特点包括增强的热性能和出色的电流承载能力。
型号：HH18N391F500CT
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：500V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：39A
导通电阻 Rds(on)：0.18Ω（在典型工作条件下）
总功耗 Ptot：260W
结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
封装：TO-247
1. 高耐压能力：HH18N391F500CT 提供高达 500V 的漏源电压，使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：该器件在典型工作条件下的导通电阻仅为 0.18Ω，可显著降低导通损耗。
3. 快速开关特性：由于其优化的结构设计，HH18N391F500CT 能够实现快速的开关动作，从而减少开关损耗。
4. 高电流承载能力：支持高达 39A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
5. 热性能优异：采用 TO-247 封装，增强了散热效果，确保在高功率条件下长期可靠运行。
6. 宽工作温度范围：从 -55°C 到 +175°C 的结温范围使其能够在极端环境下正常工作。
1. 开关电源 (SMPS)：用于主开关管或同步整流器。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型的电机。
3. 工业设备：如逆变器、UPS 不间断电源等。
4. 电池管理系统：用于电池充放电保护和负载切换。
5. 可再生能源领域：例如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换部分。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)：作为功率级元件参与牵引逆变器或车载充电器的功能实现。
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这些替代型号均具备类似的电压、电流和导通电阻规格，但具体的参数可能略有差异，请根据实际需求选择最合适的型号。
