时间：2025/6/18 12:30:11
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SI6925DQ是一款来自Vishay Siliconix的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了TrenchFET? Gen IV技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效能电源管理应用。其设计旨在优化系统效率和减少散热需求，同时具备强大的耐用性和可靠性。封装形式为DFN8（3x3mm），有助于节省PCB空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：174A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：27nC
总热阻（结至环境）：42°C/W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
SI6925DQ采用先进的TrenchFET? Gen IV工艺，提供超低导通电阻，从而显著降低导通损耗并提升整体系统效率。
该器件还具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，非常适合高频应用。
此外，其坚固的设计保证了在恶劣条件下的可靠运行，如瞬态电压尖峰或负载突变等场景。
小型化的DFN8封装使其成为对空间敏感应用的理想选择，同时提供了卓越的电气性能。
SI6925DQ广泛应用于各类需要高效功率转换和开关的场景，包括但不限于：
DC/DC转换器中的同步整流功能
电池保护电路
负载开关
电机驱动控制
通信电源系统
便携式电子设备中的电源管理单元
工业自动化及汽车电子领域内的高电流切换任务
SI6836DP
SI6740DP
IRLR7846
AO4402A
