时间：2025/8/24 18:35:20
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SFA70UP20DN 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的高电压、高电流双 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。该器件采用先进的 PowerFLAT 封装技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于多种功率管理和电机控制应用。SFA70UP20DN 内部集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET，使得它在 H 桥驱动、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合中具有广泛的应用。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
漏极电流(Id)：70A（每个通道）
导通电阻(Rds(on))：最大 20mΩ（每个通道）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
SFA70UP20DN 的核心特性之一是其双 N 沟道 MOSFET 架构设计，使其能够实现高效的功率切换和负载管理。每个通道的漏极电流可高达 70A，漏源电压耐受能力为 200V，使得该器件适用于中高功率应用。此外，该 MOSFET 具有非常低的导通电阻（最大 20mΩ），这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
另一个关键特性是其采用 PowerFLAT 封装技术，这种封装形式不仅体积小，而且具有出色的散热性能，有助于在高负载条件下维持器件的稳定运行。SFA70UP20DN 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表明其在极端温度环境下也能可靠工作，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
该器件还具备高栅极电压容限（±20V），增强了其在复杂驱动条件下的可靠性。由于其低导通电阻和优异的热管理性能，SFA70UP20DN 可以有效减少外部散热器的需求，从而简化电路设计并降低成本。
SFA70UP20DN 广泛应用于需要高电流和高电压切换能力的电子系统中。其主要应用包括但不限于：直流电机驱动器、H 桥功率级、DC-DC 升压/降压转换器、电源管理系统、电池供电设备、工业自动化控制系统以及汽车电子模块。
在电机控制领域，SFA70UP20DN 可用于构建高效的 H 桥电路，实现对直流电机方向和速度的精确控制。在电源转换应用中，如同步整流 DC-DC 转换器，该器件的低导通电阻和高电流能力可显著提升效率并降低功耗。同时，其紧凑的 PowerFLAT 封装也使其成为对空间要求较高的便携式设备和车载系统的理想选择。
STL70UP20DN, SFA70UP20DT, IPD70UP20P, SFD70UP20DN
