时间：2025/12/25 11:43:55
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BR25L080F-WE2是一款由Rohm（罗姆）公司生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，具有8Mbit（即1M x 8位）的存储容量，适用于需要非易失性数据存储的各种电子系统中。该芯片设计用于低功耗、高可靠性的应用场景，并具备宽电压工作范围，能够在多种供电条件下稳定运行。其封装形式为SOP8（小外形封装），便于在空间受限的PCB布局中使用。BR25L080F-WE2支持最高40MHz的时钟频率，具备高速读写能力，同时集成了写保护功能和状态寄存器，可有效防止误写操作，提升系统的数据安全性。此外，该芯片符合工业级温度标准，适用于从消费类电子产品到工业控制设备的广泛应用场景。
类型：串行EEPROM
存储容量：8 Mbit
组织结构：1024 K x 8
接口类型：SPI
时钟频率：最高40 MHz
电源电压：2.5V ~ 5.5V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：SOP8
写保护功能：有
保持时间：100年（典型值）
擦写次数：10^6 次（典型值）
待机电流：1 μA（最大值）
工作电流：3 mA（典型值）
该芯片具备高性能SPI接口，支持标准SPI模式0和模式3，允许与各种微控制器无缝连接。其内部存储阵列被划分为1024个扇区，每个扇区包含256字节，支持按页编程（最多256字节/页），提升了写入效率。
BR25L080F-WE2内置硬件写保护机制，通过WP引脚实现对状态寄存器和存储区域的锁定，防止因意外信号或电源波动导致的数据损坏。同时，它还提供软件写保护选项，用户可通过指令设置状态寄存器中的保护位，灵活控制不同地址区域的访问权限。
该器件采用CMOS工艺制造，具有极低的功耗特性，在待机模式下电流消耗低于1μA，非常适合电池供电或对能效要求较高的系统。在读取和写入操作期间，工作电流也保持在较低水平，有助于延长系统续航时间并减少热积累。
为了确保数据可靠性，BR25L080F-WE2集成了内部定时控制电路，自动管理写入周期，无需外部轮询即可完成编程操作。此外，其数据保持时间长达100年，且支持高达100万次的擦写寿命，远超传统存储解决方案，适合长期频繁更新数据的应用环境。
该芯片通过了严格的工业级认证，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适应恶劣的工业现场条件。所有引脚均具备静电放电（ESD）保护能力，提高了抗干扰性和系统鲁棒性。ROHM还为该产品提供了完整的技术支持文档和应用指南，便于工程师快速完成设计导入与调试。
广泛应用于工业自动化控制系统中，用于保存校准参数、设备配置信息及运行日志等关键数据。
在消费类电子产品如智能家电、数码相机、音频播放器中，作为固件存储或用户设置记忆单元。
适用于网络通信设备，例如路由器、交换机模块，用于存储MAC地址、启动代码或安全密钥。
在医疗仪器领域，用于记录患者治疗参数、设备使用历史和自检结果，确保数据持久可追溯。
也可用于汽车电子系统中的传感器模块、仪表盘或车载娱乐系统，提供可靠的非易失性存储支持。
此外，在POS终端、智能电表、安防监控设备等嵌入式系统中，该芯片能够满足高可靠性、长寿命和小尺寸封装的需求，是理想的存储解决方案之一。
M95M08-DRMN6TP
SST25VF080B-80-4I-S2
W25X80ALSNIG
