时间：2025/9/4 20:51:29
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BM28N0.6-6DS/2-0.35V(53) 是一款由ROHM（罗姆）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率管理应用而设计。这款MOSFET具备低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换器、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用双通道封装技术，提高了在有限空间内的集成度和散热性能。
类型：双N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6A
最大漏极-源极电压（VDS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω
栅极-源极电压（VGS）：±12V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
BM28N0.6-6DS/2-0.35V(53) 具备多个重要特性，使其适用于高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体效率。其次，双N沟道设计使得该MOSFET能够在紧凑的电路布局中实现更高的电流处理能力。此外，其TSOP封装具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。该MOSFET还具备较高的耐压能力，可承受较大的电压应力，从而提高系统的可靠性。此外，BM28N0.6-6DS/2-0.35V(53) 的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的应用需求。
BM28N0.6-6DS/2-0.35V(53) 适用于多种功率管理场合，例如便携式电子设备的电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。此外，它还可用于汽车电子、工业自动化设备和通信设备中的功率控制电路，确保系统的高效运行和稳定性能。
Si8462CD-B-GM, TPS2R004QDRQ1, FDMS7680
