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MJD31CITU 发布时间 时间:2025/4/28 18:44:43 查看 阅读:3

MJD31CITU是一款NPN型硅大功率晶体管,适用于开关和线性放大应用。该器件采用TO-252表面贴装封装形式,具有较高的电流增益和良好的热稳定性,广泛应用于各种电子设备中,如电源管理、电机控制和音频功放等。
  其设计旨在承受较大的集电极电流和较高的功率耗散,同时保持较低的饱和电压,确保高效的性能表现。

参数

最大集电极电流:3A
  最大集电极-发射极电压:80V
  最大集电极-基极电压:60V
  最大发射极-基极电压:7V
  直流电流增益(hFE):最小值40,典型值100
  总功耗:2W
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

MJD31CITU晶体管的主要特性包括高电流处理能力、低饱和电压以及优良的热稳定性。
  它能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,适合高温环境下的应用。
  此外,由于采用了小型化的表面贴装封装(TO-252),这款晶体管非常适合空间受限的设计,并且易于自动化生产。
  MJD31CITU还具备快速开关能力,使其成为高频电路的理想选择。

应用

MJD31CITU被广泛用于需要大电流驱动和高效率的场景,例如开关电源中的功率级驱动、电机控制电路中的开关元件、音频放大器中的输出级驱动等。
  在消费类电子产品中,它常用于电视、音响系统和家用电器的控制电路。
  此外,工业领域也常见它的身影,如工业自动化设备、传感器接口和通信设备的功率管理部分。

替代型号

MJD31CHT1G, MJE31CITU

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MJD31CITU参数

  • 标准包装70
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.2V @ 375mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件