PSP0B03A43RQ4 时间：2025/8/10 17:29:08 阅读：21

PSP0B03A43RQ4是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有优异的导通特性和较低的开关损耗，适用于诸如DC-DC转换器、电源管理模块、工业自动化设备以及消费类电子产品等多种场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功率耗散（PD）：60W

特性

PSP0B03A43RQ4具备多项优良特性，使其在复杂的电源管理环境中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，其高电流承载能力和较大的功率耗散能力使得该MOSFET能够在高负载条件下稳定运行。
　　此外，PSP0B03A43RQ4采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。该MOSFET还具备快速开关能力，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　在可靠性方面，PSP0B03A43RQ4通过了严格的行业标准测试，确保其在工业级温度范围（-55°C至150°C）内稳定工作，适用于对稳定性和耐久性要求较高的应用场合。

应用

PSP0B03A43RQ4广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? DC-DC转换器和电源模块：由于其低导通电阻和高效能特性，适合用于高效率电源转换系统。
　　? 电池管理系统：适用于电动工具、电动车及储能系统中的电池充放电控制。
　　? 工业自动化设备：用于电机驱动、负载开关控制等场景。
　　? 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和高性能电源适配器中的功率管理单元。
　　? 服务器和通信设备：作为高可靠性的电源开关元件，保障设备的稳定运行。