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CYD18S36V18-200BBAXI 发布时间 时间:2025/11/3 17:28:36 查看 阅读:44

CYD18S36V18-200BBAXI 是一款由长鑫存储(CXMT, ChangXin Memory Technologies)推出的高性能、低功耗同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片,属于其自主研发的DRAM产品线。该器件基于18纳米制程工艺打造,采用先进的封装技术,主要面向高带宽、低延迟应用场景,如服务器、数据中心、网络通信设备、高端工控系统以及人工智能计算平台等。CYD18S36V18-200BBAXI 为 x36 位宽的 DDR4 SDRAM 组件,集成了多个DRAM裸晶于单一封装内,构成具有高密度和高可靠性的内存模块核心部件。其工作电压为标准的1.2V,支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)、部分阵列自刷新(PASR)等多种节能模式,确保在高性能运行的同时实现良好的能效比。该芯片符合JEDEC标准规范,具备出色的信号完整性与稳定性,适用于对数据吞吐能力和系统可靠性要求极高的工业级和企业级应用环境。
  作为国产化替代战略中的关键元器件之一,CYD18S36V18-200BBAXI 的推出标志着中国在高端DRAM领域取得了重要突破。它不仅满足了国内市场对于安全可控存储解决方案的需求,也通过持续优化性能参数和良率控制,逐步进入国际竞争行列。该芯片通常用于组成RDIMM(Registered DIMM)、LRDIMM(Load-Reduced DIMM)等服务器内存条,支持ECC纠错功能,提供更高的数据完整性和系统稳定性。此外,其设计充分考虑了热管理与电气兼容性,能够在宽温范围内稳定运行,适应复杂多变的工作环境。

参数

型号:CYD18S36V18-200BBAXI
  制造商:长鑫存储(CXMT)
  器件类型:DDR4 SDRAM
  组织结构:512Mb x 36 (18Gbit 总容量)
  数据速率:2400 Mbps / 2933 Mbps(等效时钟频率1200MHz / 1466MHz)
  工作电压:1.2V ±0.06V
  输入/输出标准:SSTL_12
  封装形式:FBGA,96球(或类似高密度封装)
  位宽:x36(含ECC位)
  刷新模式:自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)
  工作温度范围:商业级(0°C 至 +85°C)或工业级(-40°C 至 +85°C)
  时序参数(典型值):CL=17/18/19,tRCD=17,tRP=17,tRAS=39
  支持功能:ECC、ZQ校准、ODT(片内终端)
  最大时钟频率:1466MHz(DDR4-2933)
  掉电保持时间:≥64ms(标准模式)

特性

CYD18S36V18-200BBAXI 具备多项先进特性,使其在高性能存储系统中表现出色。首先,其采用的18nm制程工艺显著提升了集成度与能效比,在相同面积下实现了更高的存储密度,并有效降低了漏电流与动态功耗。这使得该芯片在长时间高负载运行下仍能保持较低的发热量,提升系统的整体可靠性。其次,该器件支持x36位宽架构,包含32位数据加4位ECC校验位,能够在传输过程中实时检测并纠正单比特错误,预防多比特错误引发的系统崩溃,极大增强了数据完整性与系统容错能力,特别适用于金融交易、云计算、数据库服务等关键任务场景。
  该芯片内置温度传感器并支持温度补偿自刷新(TCSR)功能,可根据实际结温动态调整自刷新周期,在高温环境下缩短刷新间隔以防止数据丢失,而在低温时延长周期以降低功耗,从而实现智能能耗管理。同时,其具备ZQ校准机制,可通过外部参考电阻定期校正输出驱动阻抗和片内终端(ODT),确保信号质量在整个工作寿命期间保持稳定,减少因工艺偏差或温度漂移引起的信号失真问题。
  CYD18S36V18-200BBAXI 还支持多种低功耗模式,包括深度自刷新(Deep Self Refresh)和部分阵列自刷新(PASR),允许系统在待机或轻载状态下关闭非必要存储区域,进一步节省电力消耗,满足绿色节能要求。此外,其严格的时序控制与高噪声抑制设计保障了在高频操作下的信号完整性,兼容主流内存控制器接口,便于系统集成。最后,该芯片通过了严格的可靠性测试,包括高温高湿反偏(HTRB)、温度循环(TC)、高压蒸煮(PCT)等,确保在恶劣环境下的长期稳定运行,是企业级和工业级应用的理想选择。

应用

CYD18S36V18-200BBAXI 主要应用于对内存带宽、容量和可靠性有严苛要求的高端电子系统。首要应用领域为服务器与数据中心,作为RDIMM或LRDIMM内存模块的核心组件,广泛用于构建高性能计算(HPC)、虚拟化平台、大型数据库系统及云基础设施。其支持ECC和高数据速率的能力可有效防止数据损坏并提升系统响应速度,确保关键业务连续运行。在网络通信设备中,如5G基站、核心路由器、交换机等,该芯片用于缓存高速数据流,支持多通道并行处理,满足低延迟、高吞吐量的数据转发需求。
  在人工智能与边缘计算领域,随着AI推理和训练任务对内存带宽的依赖日益增加,CYD18S36V18-200BBAXI 凭借其高密度和稳定性能被集成于AI加速卡、智能网卡(SmartNIC)和边缘服务器中,支撑模型参数加载与中间结果暂存。此外,在工业自动化控制系统、医疗影像设备、航空航天电子系统等需要宽温运行和高可靠性的场合,该芯片也发挥着重要作用。由于其国产自主可控属性,该器件还被优先选用在国家信息安全重点工程、党政机关信息系统、国防军工项目中,推动关键基础设施的供应链安全建设。

替代型号

MTA18ASF2G72AZ-2G6E1
  M324A8G40DB2-CWE
  HMAA8GR7CJR4N-UH
  K3RK6070BM-AGCL

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CYD18S36V18-200BBAXI参数

  • 数据列表CYDxxS72,36,18V18 FullFlex
  • 标准包装90
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量18M(512K x 36)
  • 速度200MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.42 V ~ 1.58 V,1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳256-LBGA
  • 供应商设备封装256-FBGA(17x17)
  • 包装托盘