型号：2SK242-3-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：6.5Ω @ Vgs=10V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　极性：N-Channel
　　连续漏极电流（Id）：100mA @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：400mA
　　输入电容（Ciss）：约12pF @ Vds=10V, f=1MHz
　　输出电容（Coss）：约4pF @ Vds=10V, f=1MHz
　　反向传输电容（Crss）：约1pF @ Vds=10V, f=1MHz
　　开启延迟时间（td(on)）：约10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约25ns

2SK242-3-TL-E具备优异的电气特性和稳定的开关性能，其核心优势之一是低导通电阻，在Vgs=10V条件下，Rds(on)典型值仅为6.5Ω，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这一特性使其特别适用于对功耗敏感的应用场景，如移动设备电源管理和电池供电系统。此外，该MOSFET的漏源击穿电压高达60V，可在较宽的电压范围内安全工作，增强了其在不同电源架构中的适应能力。器件的最大漏极电流为100mA（连续），脉冲电流可达400mA，满足瞬态负载变化的需求。
　　该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，有利于节省PCB空间，提高电路板集成度，同时具备良好的散热性能，确保在高频率开关操作下仍能保持稳定的工作温度。其输入、输出和反向传输电容均保持在较低水平，有助于减少开关过程中的充放电能量损耗，从而提升高频开关应用中的动态响应速度和能效表现。开启和关断延迟时间分别约为10ns和25ns，体现出快速的开关响应能力，适用于高频斩波或PWM控制电路。
　　2SK242-3-TL-E还具备较强的温度稳定性，其参数随温度变化较小，能够在-55°C至+150°C的宽温范围内正常工作，适用于工业环境和恶劣条件下的应用。栅源电压最大支持±20V，提供了足够的驱动裕量，避免因过压导致栅极氧化层损坏。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），进一步降低驱动电路的负担，适合与微控制器或逻辑IC直接连接，无需复杂的驱动电路设计。整体而言，该MOSFET在性能、尺寸、功耗和可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用的理想选择。

2SK242-3-TL-E广泛应用于各类低功率开关和电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径控制，用于实现电池与外设之间的通断管理，以延长待机时间并防止过度放电。此外，该器件也常用于DC-DC转换器的同步整流或驱动级电路中，尤其是在升压或降压拓扑结构中作为控制开关使用，帮助提升转换效率并减小整体方案尺寸。
　　在消费类电子产品中，2SK242-3-TL-E可用于LED驱动电路，作为恒流源的开关元件，实现亮度调节和节能控制。它也可用于电机驱动电路中的低端开关，控制微型直流电机或步进电机的启停和方向切换，尤其适用于玩具、家用电器和办公自动化设备。此外，该MOSFET还可作为热插拔保护电路中的开关元件，防止带电插拔时产生浪涌电流，保护后级电路免受损坏。
　　工业控制领域中，该器件适用于传感器信号调理模块的电源开关，实现按需供电以降低系统总功耗。它也常用于隔离电路或电平转换电路中，配合P沟道MOSFET构成互补开关对，实现高效的双向电源控制。由于其具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，2SK242-3-TL-E同样适用于汽车电子中的辅助电源管理模块，如车载信息娱乐系统或车内照明控制单元。总之，凭借其小封装、低功耗和高可靠性，该器件在多种需要精密电源控制的嵌入式系统中发挥着关键作用。

2SK241-3-TL-E, 2SK243-3-TL-E, BSS138, 2N7002, FDN301N, DMG2301U